耗尽型 MOSFET / Depletion-mode MOSFET (DMMOS)

常通特性；耐压 60V~1800V；导通电阻 RDS(on) 0.015Ω~700Ω；夹断电压 VGS(off) -27V~-1V；符合车规 AEC-Q101。主要功能为高压启动、恒流输出、线性稳压、浪涌抑制、过流过压保护，可替代 JFET 与稳压管。代表型号 DMZ1015E/DMX1015E、DMZ6012E、DMX1072/DMS1072、DMX4022E/DMS4022E、DMD4523E、DMB16C20-A、850V 系列、DMD10R120A。典型应用于快充 PD3.1、LED、充电桩、工业控制、汽车电子及医疗设备（CT/DR、X 射线源）。
Normally-on characteristics; breakdown voltage 60V-1800V; RDS(on) 0.015ohm-700ohm; VGS(off) -27V to -1V; AEC-Q101 automotive qualified. Functions include high-voltage start-up, constant-current output, linear regulation, surge suppression and over-voltage/over-current protection, replacing JFETs and Zener diodes. Representative models DMZ1015E/DMX1015E, DMZ6012E, DMX1072/DMS1072, DMX4022E/DMS4022E, DMD4523E, DMB16C20-A, the 850V series and DMD10R120A. Typical applications: PD3.1 fast charging, LED, EV charging piles, industrial control, automotive electronics and medical equipment.

认证供应商 电子信息

成都方舟微电子有限公司

主营产品: 稳压器,过流过压保护器,集成功率器件,光继电器,超高压保护模块,耗尽型MOSFET,增强型MOSFET

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