Интегральные схемы/полупроводники
Нормально-открытые характеристики; допустимое напряжение 60–1800 В; сопротивление в открытом состоянии RDS(on) 0,015 Ом–700 Ом; напряжение отсечки VGS(off) от −27 В до −1 В; соответствует автомобильному стандарту AEC-Q101. Основные функции: высоковольтный запуск, выход со стабилизированным током, линейная стабилизация напряжения, подавление импульсных помех, защита от превышения тока и напряжения; возможна замена JFET и стабилитронов. Представительные модели: DMZ1015E/DMX1015E, DMZ6012E, DMX1072/DMS1072, DMX4022E/DMS4022E, DMD4523E, DMB16C20-A, серия 850 В, DMD10R120A. Типичные применения: быстрая зарядка PD3.1, LED-освещение, зарядные станции, промышленная автоматика, автомобильная электроника и медицинское оборудование (КТ/DR, рентгеновские излучатели).
Компания Chengdu ARK Microelectronics Co., Ltd. (разработка, производство и продажа силовых полупроводниковых приборов).…
