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MOSFET de empobrecimiento (DMMOS)

Circuitos integrados/semiconductores

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Descripción

Características de conducción permanente (normally-on); tensión de rotura de 60 V a 1800 V; resistencia RDS(on) de 0,015 Ω a 700 Ω; tensión de estrangulamiento VGS(off) de -27 V a -1 V; cualificación automotriz AEC-Q101. Sus funciones principales son el arranque de alta tensión, la salida de corriente constante, la regulación lineal, la supresión de sobretensiones y la protección contra sobretensión y sobrecorriente, pudiendo sustituir a JFET y diodos Zener. Modelos representativos: DMZ1015E/DMX1015E, DMZ6012E, DMX1072/DMS1072, DMX4022E/DMS4022E, DMD4523E, DMB16C20-A, la serie 850V y DMD10R120A. Aplicaciones típicas: carga rápida PD3.1, LED, electrolineras, control industrial, electrónica del automóvil y equipo médico (CT/DR, fuentes de rayos X).

Verified Supplier 电子信息
Main Products: Reguladores de voltaje, Protectores de sobrecorriente y sobretensión, Dispositivos de potencia integrados, Relés ópticos, Módulos de protección UAT, MOSFET de deplexión, MOSFET de enriquecimiento

Chengdu ARK Microelectronics Co., Ltd. (investigación, fabricación y venta de dispositivos semiconductores de potencia)…

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